Високочастотні та імпульсні діоди.

Цей тип діодів також використовує вентильний ефект і являє собою малопотужні прилади, що працюють на високих частотах або в швидкодіючих імпульсних схемах. заряду поблизу р-п-переходу і з величиною їхньої бар'єрної ємності. Для зменшення інерційності діодів необхідно зменшувати значення бар'єрної ємності і час життя нерівноважних носіїв заряду. площа р-п-переходу.

• • ємність діода З_л — ємність між висновками діода при заданому зміщенні (у сучасних діодах від часток пФ до кількох пФ);
• • А>р імп _Макс - максимально допустимий імпульсний струм через діод, при якому забезпечується задана надійність діода при тривалій роботі;
• • імп макс - максимальна імпульсна пряма напруга;
• • ?_всобр - Час відновлення зворотного опору діода - відрізок часу від моменту проходження струму через нуль при перемиканні діода з прямого струму на імпульсну зворотну напругу до моменту, коли зворотний струм діода зменшується до заданого рівня (?_восо6р становить час від часток нс до часток мкс).

Стабілітрони Цей тип діодів призначений для стабілізації постійної напруги. Вони працюють у режимі електричного пробою, який спостерігається при зворотному зміщенні діода.Використовувані в стабілітронах матеріали мають високу концентрацію домішок, завдяки цьому при відносно невеликій зворотній напругі в р-я-переході виникає електричний пробій. На ділянці пробою при незначній зміні напруги змінюється струм у дуже широких межах (рис. 2.14, а).

Мал. 2.14. Характеристики та умовні графічні позначення стабілітрона (а), варикапа (б) та тунельного діода (в)

Основні електричні параметри стабілітронів:

• • U_CT — номінальна напруга стабілізації при заданому струмі (див. рис. 2.14, а), яке коливається від кількох до десятків вольт;
• • /_м„Н. Ліке - мінімальний та максимальний струми стабілізації;
• • г_л — диференціальний опір при заданому струмі;
• • Р_макс — максимально допустима потужність, що розсіюється;
• • температурний коефіцієнт напруги (ТКН) стабілізації (виражається в К'): ТКН = AU_CT/(U_crAT), де AU_CT — відхилення напруги від номінального значення U_CT при зміні температури в інтервалі АТ.

Варикапи. У параграфі 2.2 було встановлено, що зміщений назад р-п-перехід має ємнісні властивості. При цьому значення зарядної ємності залежить від напруги, що прикладається до переходу, що дозволяє застосовувати назад зміщений перехід як елемент з електрично керованої ємністю. Такий елемент називають варикапом. Форму вольт-кулонної характеристики наведено на рис. 2.14, б.

Основні електричні параметри варикапів:

• • З_ном - номінальна ємність варикапа - ємність при номінальній напрузі зміщення;
• • З_шкс - максимальна ємність варикапа при заданій мінімальній напрузі зміщення;
• • З_тш — мінімальна ємність варикапа при заданій максимальній напрузі зміщення;
• • До_з — коефіцієнт перекриття по ємності, що використовується для оцінки нелінійності залежності З = f(U) і дорівнює відношенню ємностей варикапа при двох заданих значеннях зворотної напруги (До_з = 2 + 20);